Nghiên cứu lựa chọn thông số, cấu hình mạch thử trong thử nghiệm xung sét cho máy biến áp lực một pha 500kV sản xuất tại Việt Nam

Tên tác giả: Nguyễn Hữu Kiên, Phòng Thí thí nghiệm trọng điểm về Điện cao áp – Viện Năng lượng.

Việc nghiên cứu sâu và chi tiết về phóng điện sét nói chung và hạng mục thử nghiệm xung sét đối với máy biến áp lực (MBA) nói riêng cùng với những tác động tới quá trình vận hành an toàn hệ thống điện (HTĐ) ở trong nước còn nhiều hạn chế khi chưa có những hệ thống thử nghiệm tương thích, phần lớn các thiết bị điện (TBĐ) cao áp và siêu cao áp trước khi đưa vào vận hành trong lưới điện quốc gia vẫn chưa được tiến hành thử nghiệm đối với hạng mục này trong điều kiện Việt Nam

1.Thông tin chung/Đặt vấn đề:
(Giới thiệu xuất xứ của công trình KH&CN, thời gian thực hiên và kinh phí thực hiện từ các nguồn vốn: Ngân sách nhà nước,vốn khác).
Việc nghiên cứu sâu và chi tiết về phóng điện sét nói chung và hạng mục thử nghiệm xung sét đối với máy biến áp lực (MBA) nói riêng cùng với những tác động tới quá trình vận hành an toàn hệ thống điện (HTĐ) ở trong nước còn nhiều hạn chế khi chưa có những hệ thống thử nghiệm tương thích, phần lớn các thiết bị điện (TBĐ) cao áp và siêu cao áp trước khi đưa vào vận hành trong lưới điện quốc gia vẫn chưa được tiến hành thử nghiệm đối với hạng mục này trong điều kiện Việt Nam.
Để đáp ứng nhu cầu nghiên cứu khoa học công nghệ và thử nghiệm các thiết bị điện (TBĐ) cao áp, siêu cao áp trước khi đưa vào vận hành trong lưới điện quốc gia; Phòng thí nghiệm trọng điểm Điện cao áp (HVLAB) – Viện Năng lượng đã được trang bị một số hệ thống thử nghiệm đủ công suất và năng lực; trong đó có Hệ thống thử nghiệm điện áp xung 3600kV để thử nghiệm xung sét và xung đóng cắt cho các TBĐ nói chung và máy biến áp nói riêng tới cấp điện áp 500kV.
Với Hệ thống thử nghiệm điện áp xung 3600kV, các nghiên cứu liên quan hạng mục thử nghiệm xung sét đối với máy biến áp lực đã được triển khai.
Thời gian thực hiện: từ 01/2014 đến 12/2014
Kinh phí thực hiện từ Ngân sách Nhà nước cấp: 260 triệu đồng.
2.Nội dung nghiên, cứu công nghệ:
(Nêu rõ những mục tiêu và nội dung nghiên cứu,ứng dụng KH&CN đã thực hiện)
– Mục tiêu: Nghiên cứu lựa chọn thông số, cấu hình mạch thử của Hệ thống thử nghiệm xung áp GTN 18-10 tại HVLAB thử nghiệm xung sét dạng xung 1,2/50s cho MBA một pha 500kV sản xuất tại Việt Nam. Đưa MBA vào vận hành đạt chất lượng cao đảm bảo độ tin cậy cung cấp điện cho Hệ thống điện Quốc gia. Để kiểm tra các giá trị này và xác định khả năng chịu đựng của cách điện trong TBĐ, cần thiết phải đặt một điện áp xung mô phỏng các xung sét và xung đóng cắt tiêu chuẩn. Các hạng mục thử nghiệm MBA đối với xung sét được quy định trong tiêu chuẩn IEC60076-3,-4, TCVN6306-3: 2006 (Bảng 1 mục 7.1, trong đó có nêu: Đối với máy biến áp có cuộn dây điện áp cao có Um >72,5 kV, thử nghiệm xung sét là thử nghiệm thường xuyên cho tất cả cuộn dây của máy biến áp) và các phương pháp đo được quy định trong IEC60060-1.
– Nội dung nghiên cứu:
2.1.Tổng quan về quá trình vận hành và công tác kiểm tra thử nghiệm đối với máy biến áp (MBA) trước khi đưa vào vận hành.
2.2. Nghiên cứu tính toán thông số của MBA và lựa chọn cấu hình mạch thử nghiệm của hệ thống thử nghiệm xung áp để xác định các đặc tính kỹ thuật của xung sét (dạng xung 1,2/50s) thử nghiệm lên MBA một pha 500kV.
2.3. Thử nghiệm xung sét (dạng xung 1,2/50s) đối với MBA một pha 500kV sử dụng hệ thống thử nghiệm điện áp xung 3.600kV/180kJ.
2.4. Đánh giá chất lượng của MBA trên cơ sở đặc tính thử nghiệm xung sét.
2.5. Tổng hợp viết báo cáo khoa học.
– Ứng dụng KH&CN đã thực hiện: Sử dụng Hệ thống thử nghiệm xung áp GTN 18-10 tại HVLAB (Hình 1) thử nghiệm xung sét dạng xung 1,2/50s cho MBA một pha 500kV sản xuất tại Việt Nam.

Hình 1: Hệ thống thử nghiệm xung áp GTN 3600kV-180kJ tại HVLAB

Xem bài đầy đủ